Samsung, oldukça yüksek veri yoğunluğuna sahip yeni nesil QLC NAND V9 flaş çözümünü duyurmaya hazırlanıyor. Samsung’un 280 katmanlı yeni QLC NAND yongası açık farkla dünyanın en yoğun NAND belleği olacak. 28,5 Gb/mm2 veri yoğunluğuyla Samsung’un yeni QLC 3D NAND V9 çözümü, sektördeki en yoğun flaş bellek olan YMTC‘nin 20,63 mm2 yoğunluğa sahip 232L QLC NAND flaşından neredeyse %40 daha yoğun. YMTC şu anda Micron‘un 19,5 Gb/mm2 yoğunluğa sahip 232 katmanlı TLC’sinin hemen önünde yer alıyor.
Samsung’un V9 QLC’si maksimum 3,2 Gbps aktarım hızıyla hız konusunda da geride kalmıyor. 2,4 Gbps hız sunan mevcut QLC tabanlı ürünlerden önemli ölçüde daha hızlı olmayı başarıyor. QLC bellekler, hız konusunda geleneksel olarak yavaş kalıyorlar. Ancak Samsung’un yeni V9 NAND flaşı, bu sorunun üstesinden gelmişe benziyor. Yeni belleğin doğrudan QLC modunda yazarken nasıl performans göstereceği merak konusu. Mevcut tüm QLC SSD’ler, performansı arttırmak için kapasitenin %25’ine kadar sahte bir SLC önbellek kullanıyor. Önbellek dolduğunda ise yazma hızı genellikle 100-300 MB/s’ye düşüyor. Performansı yeterince iyiyse, Samsung’un yeni QLC tabanlı flaşı, bu yılın sonlarında piyasaya sürüldüğünde tüketici SSD piyasasını kökten değiştirebilir.
8 TB’ın üstünde SSD’ler görebiliriz
Yeni bellekler, muhtemelen yüksek performanslı SSD’lerde kullanılmayacak. Ancak depolama yoğunluğundaki %50’ye varan artış ile Samsung, gigabayt başına maliyette rakiplerinin önüne geçebilir. Pazar talebine göre Samsung, potansiyel olarak 8 TB’ın üzerinde kapasiteye sahip bir V9 QLC M.2 sürücüsü bile sunabilir.
2022 tarihli bir Samsung raporuna göre şirket, temel olarak QLC bellekler geliştirmeye odaklanıyor. TLC flash mimarilerinin depolama kapasitesi açısından sınırlarına ulaşmaya başlamasıyla (tıpkı kendisinden önceki SLC ve MLC gibi), QLC, ana akım tüketici SSD’lerinin kapasitesini arttırmak isteyen üreticiler için geleceği temsil ediyor. Hatta QLC’lerin ileride kurumsal SSD’lere bile girebileceği belirtiliyor.
